Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874
Назва: | Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання |
Автори: | Кабацій, Василь Миколайович Головач, Й. Й. |
Ключові слова: | інфрачервоні джерела випромінювання |
Дата публікації: | 2006 |
Видавництво: | МТІ |
Короткий огляд (реферат): | Розроблені напівпровідникові безкорпусні випромінюючі в інфрачервоному діапазоні спектру 2,5-5,0 мкм епітаксіальні гетероструктури на основ з’єднань А3 В5. В роботі використані тверді розчни In1-xGaxь As/InAs та InAs1-x-ySbxPy/InAs з метою одержання структурно-узгоджених систем з різним рівнем легування. Дослідженні електрофізичні характеристики одержаних гетероструктур з створеними в них p–n переходами, а також фізико-хімічні та оптичні властивості захисних та просвітлюючих діелектрични покрить на основі складни халькогенідних склоподібни напівпровідникових матеріалів. Такі напівпровідникові випромінюючі структури є основою для багатьох сучасних оптоелектронних систем та систем різного спеціального призначення. |
Опис: | Кабацій В. М. Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання / В. М. Кабацій, Й. Й. Головач // Науковий вісник Мукачівського технологічного інституту. - Мукачево : МТІ, 2006. - №2. - С.53-58 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874 |
Розташовується у зібраннях: | Статті |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
n2-54-59.pdf | Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання | 320.02 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.