Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874
Назва: Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання
Автори: Кабацій, Василь Миколайович
Головач, Й. Й.
Ключові слова: інфрачервоні джерела випромінювання
Дата публікації: 2006
Видавництво: МТІ
Короткий огляд (реферат): Розроблені напівпровідникові безкорпусні випромінюючі в інфрачервоному діапазоні спектру 2,5-5,0 мкм епітаксіальні гетероструктури на основ з’єднань А3 В5. В роботі використані тверді розчни In1-xGaxь As/InAs та InAs1-x-ySbxPy/InAs з метою одержання структурно-узгоджених систем з різним рівнем легування. Дослідженні електрофізичні характеристики одержаних гетероструктур з створеними в них p–n переходами, а також фізико-хімічні та оптичні властивості захисних та просвітлюючих діелектрични покрить на основі складни халькогенідних склоподібни напівпровідникових матеріалів. Такі напівпровідникові випромінюючі структури є основою для багатьох сучасних оптоелектронних систем та систем різного спеціального призначення.
Опис: Кабацій В. М. Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання / В. М. Кабацій, Й. Й. Головач // Науковий вісник Мукачівського технологічного інституту. - Мукачево : МТІ, 2006. - №2. - С.53-58
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874
Розташовується у зібраннях:Статті

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
n2-54-59.pdfБезкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання320.02 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.