Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Title: | Электронная структура ромбического GeSe |
Authors: | Кабаций, Василий Николаевич Блецкан, Д.И. Глухов, К.Е. Лукьянчук, А.Р. |
Keywords: | моноселенид германия электронная структура плотность электронных состояний фотоэлектронные спектры |
Issue Date: | 2010 |
Series/Report no.: | Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics;№28 |
Abstract: | Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов |
URI: | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371 |
Appears in Collections: | Статті |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Электронная структура ромбического GeSe.pdf | Электронная структура ромбического GeSe | 1.19 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.