Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Название: Электронная структура ромбического GeSe
Авторы: Кабаций, Василий Николаевич
Блецкан, Д.И.
Глухов, К.Е.
Лукьянчук, А.Р.
Ключевые слова: моноселенид германия
электронная структура
плотность электронных состояний
фотоэлектронные спектры
Дата публикации: 2010
Серия/номер: Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics;№28
Краткий осмотр (реферат): Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Располагается в коллекциях:Статті

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Электронная структура ромбического GeSe.pdfЭлектронная структура ромбического GeSe1.19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.