Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКабаций, Василий Николаевичru
dc.contributor.authorБлецкан, Д.И.ru
dc.contributor.authorГлухов, К.Е.ru
dc.contributor.authorЛукьянчук, А.Р.ru
dc.date.accessioned2017-11-16T08:49:47Z-
dc.date.available2017-11-16T08:49:47Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.urihttp://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371-
dc.description.abstractМетодом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходовen_US
dc.language.isootheren_US
dc.relation.ispartofseriesUzhhorod University Scientific Herald. Series Physics;№28-
dc.subjectмоноселенид германияen_US
dc.subjectэлектронная структураen_US
dc.subjectплотность электронных состоянийen_US
dc.subjectфотоэлектронные спектрыen_US
dc.titleЭлектронная структура ромбического GeSeen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Статті

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Электронная структура ромбического GeSe.pdfЭлектронная структура ромбического GeSe1.19 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.