Тепловые и оже-процессы в p-n-переходах на основе гетероструктур GaInAs/InAs и InAsSbP/InAs

Abstract

Исследованы процессы релаксации избыточной энергии и механизмы, ответственные за перегрев активной области ИК излучателей на основе неизопериодических структур с напряженными слоями 1пОаАБ и близких к изопериодическим 1пАбБЬР, излучающих в диапазоне А = 2.5-5.0мкм. Для ИК излучателей на основе 1п1-хОа^АБ установлена взаимосвязь температур перегрева активной области структуры АТ с оже-процессами. Показано, что при увеличении х в пределах 0-0.09 эффективность оже-рекомбинации падает, что способствует резкому падению АТ. При х > 0.09 эффективность СЯЖ-оже-ироцессов экспоненциально ослабляется, однако в связи с ростом плотности дислокаций из-за существенной величины (~ 6.9%) параметра несоответствия решеток наблюдается, хотя и медленный, но рост АТ.