Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного PbGeS3

Abstract

Проведено комплексное исследование стационарных характеристик фотопроводимости (спектральное распределение фотопроводимости (ФП), люксамперные характеристики (ЛАХ), температурные зависимости темновой и фотопроводимости) и термостимулированного тока (ТСТ) кристаллического (к-) и стеклообразного (с-) PbGeS3. Установлено, что в зависимости от скорости выращивания кристаллов в спектрах ФП, кроме собственного максимума наблюдается один или два примесных. Для стеклообразного тиогерманата свинца в спектрах ФП в области длин волн 0,4–1,0 мкм обнаружен гистерезис при изменении направления развертки длин волн падающего на образец света, обусловленный явлением индуцированной примесной проводимости. На температурных зависимостях фотопроводимости наблюдается активация ФП, вызванная термическим опустошением уровней прилипания.