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Titel: Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals
Autoren: Bletskan, D. I.
Блеткан, Д. І.
Kabatsii, V. N.
Кабацій, Василь Миколайович
Kranjcec, M.
Кранчець, М.
Stichwörter: cation vacancy
photoelectric property
luminous flux
thermally stimulate current
native point defect
вакансія катіона
фотоелектрична властивість
світловий потік
термічно стимулюючий струм
родний дефект
Erscheinungsdatum: 2010
Herausgeber: Pleiades Publishing
Zusammenfassung: We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers.
Beschreibung: Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295
URI: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
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