Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Название: | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals |
Авторы: | Bletskan, D. I. Блеткан, Д. І. Kabatsii, V. N. Кабацій, Василь Миколайович Kranjcec, M. Кранчець, М. |
Ключевые слова: | cation vacancy photoelectric property luminous flux thermally stimulate current native point defect вакансія катіона фотоелектрична властивість світловий потік термічно стимулюючий струм родний дефект |
Дата публикации: | 2010 |
Издательство: | Pleiades Publishing |
Краткий осмотр (реферат): | We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers. |
Описание: | Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295 |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838 |
Располагается в коллекциях: | Статті |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdf | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | 670.89 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.