Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Назва: | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals |
Автори: | Bletskan, D. I. Блеткан, Д. І. Kabatsii, V. N. Кабацій, Василь Миколайович Kranjcec, M. Кранчець, М. |
Ключові слова: | cation vacancy photoelectric property luminous flux thermally stimulate current native point defect вакансія катіона фотоелектрична властивість світловий потік термічно стимулюючий струм родний дефект |
Дата публікації: | 2010 |
Видавництво: | Pleiades Publishing |
Короткий огляд (реферат): | We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers. |
Опис: | Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838 |
Розташовується у зібраннях: | Статті |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdf | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | 670.89 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.