DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Bletskan, D. I. | - |
| dc.contributor.author | Блеткан, Д. І. | - |
| dc.contributor.author | Kabatsii, V. N. | - |
| dc.contributor.author | Кабацій, Василь Миколайович | - |
| dc.contributor.author | Kranjcec, M. | - |
| dc.contributor.author | Кранчець, М. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-19T08:52:16Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-19T08:52:16Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838 | - |
| dc.description | Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295 | en_US |
| dc.description.abstract | We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers. | en_US |
| dc.language.iso | en | en_US |
| dc.publisher | Pleiades Publishing | en_US |
| dc.subject | cation vacancy | en_US |
| dc.subject | photoelectric property | en_US |
| dc.subject | luminous flux | en_US |
| dc.subject | thermally stimulate current | en_US |
| dc.subject | native point defect | en_US |
| dc.subject | вакансія катіона | en_US |
| dc.subject | фотоелектрична властивість | en_US |
| dc.subject | світловий потік | en_US |
| dc.subject | термічно стимулюючий струм | en_US |
| dc.subject | родний дефект | en_US |
| dc.title | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Розташовується у зібраннях: | Статті | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdf | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | 670.89 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.