Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Bletskan, D. I. | - |
dc.contributor.author | Блеткан, Д. І. | - |
dc.contributor.author | Kabatsii, V. N. | - |
dc.contributor.author | Кабацій, Василь Миколайович | - |
dc.contributor.author | Kranjcec, M. | - |
dc.contributor.author | Кранчець, М. | - |
dc.date.accessioned | 2020-06-19T08:52:16Z | - |
dc.date.available | 2020-06-19T08:52:16Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838 | - |
dc.description | Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295 | en_US |
dc.description.abstract | We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers. | en_US |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.publisher | Pleiades Publishing | en_US |
dc.subject | cation vacancy | en_US |
dc.subject | photoelectric property | en_US |
dc.subject | luminous flux | en_US |
dc.subject | thermally stimulate current | en_US |
dc.subject | native point defect | en_US |
dc.subject | вакансія катіона | en_US |
dc.subject | фотоелектрична властивість | en_US |
dc.subject | світловий потік | en_US |
dc.subject | термічно стимулюючий струм | en_US |
dc.subject | родний дефект | en_US |
dc.title | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Располагается в коллекциях: | Статті |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdf | Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals | 670.89 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.