1. Mukachevo State University repository
  2. Статті
  3. Статті
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Назва: Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals
Автори: Bletskan, D. I.
Блеткан, Д. І.
Kabatsii, V. N.
Кабацій, Василь Миколайович
Kranjcec, M.
Кранчець, М.
Ключові слова: cation vacancy
photoelectric property
luminous flux
thermally stimulate current
native point defect
вакансія катіона
фотоелектрична властивість
світловий потік
термічно стимулюючий струм
родний дефект
Дата публікації: 2010
Видавництво: Pleiades Publishing
Короткий огляд (реферат): We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers.
Опис: Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Розташовується у зібраннях:Статті

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdfPhotoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals670.89 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.